RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4053
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link