RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2882
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link