RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2791
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link