RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2808
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link