RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
37
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2808
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link