RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
76
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
76
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1809
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link