RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
19200
Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
43
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
23400
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3304
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link