RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2990
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C10 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link