RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2990
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link