RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2873
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link