RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2873
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link