RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2337
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link