RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
74
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
74
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1779
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link