RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3490
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link