RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3490
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link