RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3490
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link