RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3285
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link