RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4006
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link