RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
24
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3993
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link