RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3993
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link