RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3274
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link