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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3274
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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