RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3914
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link