RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3914
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link