RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
47
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.2
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
3081
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link