RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3494
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link