Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 20.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,123.3 14.7

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

32 59

Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 6400

Wokół strony 4 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

731 3393

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns