Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Pontuação geral
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 20.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,123.3 left arrow 14.7
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    32 left arrow 59
    Por volta de -84% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 6400
    Por volta de 4 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,833.8 left arrow 20.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,123.3 left arrow 14.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    731 left arrow 3393
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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