Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Note globale
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 20.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,123.3 left arrow 14.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    32 left arrow 59
    Autour de -84% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 6400
    Autour de 4 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    59 left arrow 32
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,833.8 left arrow 20.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,123.3 left arrow 14.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    731 left arrow 3393
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons