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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
59
Autour de -84% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3393
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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