RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3579
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link