RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 36
    Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.3 left arrow 16
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.9 left arrow 12.5
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    24 left arrow 36
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.0 left arrow 16.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 13.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2925 left arrow 3044

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Pamięć RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Pamięć RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Pamięć RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Pamięć RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Pamięć RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Pamięć RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Pamięć RAM