RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3044
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link