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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
65
Por volta de -242% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.0
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
19
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
18.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3691
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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Kingston 9905622-075.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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