RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
65
Около -242% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
18.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3691
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link