RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2384
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link