RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3669
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link