RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 28
    Около 14% меньшая задержка
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    18 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    15.3 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 18.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 15.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3669

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
модули RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
модули RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
модули RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
модули RAM