RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3385
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link