RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3385
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link