RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2983
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link