RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
104
Wokół strony -215% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3035
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link