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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,404.5
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
104
周辺 -215% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
33
読み出し速度、GB/s
3,192.0
16.9
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
10.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3035
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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