RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3733
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link