RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3733
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link