RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3012
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link