RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3012
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link