RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
22.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3962
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link