RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3962
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link