RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3886
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link