RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3886
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link