RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link